主要功能

該設(shè)備以真空熱蒸發(fā)工藝為核心，專注各類薄膜材料制備，可實(shí)現(xiàn)金屬材料、有機(jī)材料、無機(jī)介質(zhì)材料、半導(dǎo)體薄膜及多層復(fù)合薄膜的真空蒸鍍制備。廣泛適用于光電薄膜、微電子器件、低維功能材料、新能源材料等科研方向，支持單層薄膜、多層疊加薄膜、合金薄膜的沉積研發(fā)，能夠滿足科研試樣研發(fā)、工藝調(diào)試、定制化樣品制備等多元化實(shí)驗(yàn)需求。

技術(shù)指標(biāo)

蒸發(fā)源：設(shè)備標(biāo)配3組獨(dú)立熱蒸發(fā)源，各司其職且可單獨(dú)控制，支持單源獨(dú)立蒸鍍、多源同步共蒸、分層交替蒸鍍等多種工藝模式?？蛇m配不同類型蒸鍍物料，兼容金屬、有機(jī)物、無機(jī)介質(zhì)等多種材料，靈活滿足不同體系薄膜的制備實(shí)驗(yàn)。

樣品臺(tái)：搭載多功能集成式樣品承載平臺(tái)，最大可承載6英寸規(guī)格襯底基片，適配市面主流實(shí)驗(yàn)襯底。樣品臺(tái)集成旋轉(zhuǎn)與加熱雙重功能，運(yùn)行過程中可勻速旋轉(zhuǎn)，平衡腔內(nèi)蒸汽濃度，提升薄膜整體均勻性；配合加熱功能可有效增強(qiáng)薄膜附著力與致密性，大幅提升成膜品質(zhì)。

最高加熱溫度：樣品臺(tái)最高加熱溫度可達(dá)500℃，可完成恒溫沉積、升溫退火、原位加熱制備等相關(guān)工藝，同時(shí)可根據(jù)用戶實(shí)驗(yàn)需求，配套對(duì)應(yīng)的專屬功能模塊，適配不同溫度條件下的薄膜蒸鍍作業(yè)。

工藝氣體：預(yù)留3路獨(dú)立工藝氣體接口，支持按需選配加裝，可接入氬氣、氮?dú)?、氫氣等高純工藝氣體，滿足氣氛蒸鍍、氣體輔助沉積、惰性氣氛保護(hù)等特殊實(shí)驗(yàn)工況。該功能屬于選配項(xiàng)目，如需啟用供氣功能，可另行加裝配置。

極限真空：設(shè)備腔體采用高密封結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，搭配高性能真空機(jī)組，整機(jī)極限真空優(yōu)于5×10??Pa。高真空腔體環(huán)境可大程度減少腔內(nèi)水汽、氧氣及雜質(zhì)氣體對(duì)蒸鍍過程的影響，規(guī)避薄膜氧化、雜質(zhì)污染等問題，保障蒸鍍薄膜純度與穩(wěn)定性，適配薄膜制備實(shí)驗(yàn)。